HY19P03B
HUAYI(华羿微)
TO-263-2L
¥1.1752
6,263
场效应管(MOSFET)
数量:1个P沟道,漏源电压(Vdss):30V,连续漏极电流(Id):90A,导通电阻(RDS(on)):8mΩ@4.5V
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HY19P03B
HUAYI(华羿微)
TO-263-2

800+:¥1.13

1+:¥1.22

736

24+
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HY19P03B
HUAYI(华羿微)
TO-263-2

800+:¥1.1752

1+:¥1.2688

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HY19P03B
HUAYI(华羿微)
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800+:¥1.21

500+:¥1.29

100+:¥1.5

30+:¥1.78

10+:¥2.0

1+:¥2.52

3754

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HY19P03B
HUAYI

50+:¥1.342

30+:¥1.738

733

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3天-15天
HY19P03B
HUAYI(华羿微)
TO-263-2

500+:¥1.78

100+:¥1.95

20+:¥2.34

1+:¥2.76

1050

23+

价格趋势
规格参数
属性 属性值
数量 1个P沟道
漏源电压(Vdss) 30V
连续漏极电流(Id) 90A
导通电阻(RDS(on)) 8mΩ@4.5V