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HXY30N06DF
华轩阳
DFN3X3-8L
场效应管(MOSFET)
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：30A，导通电阻(RDS(on))：25mΩ@10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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HXY30N06DF
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HXY MOSFET(华轩阳电子)
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DFN3X3-8L
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5000+:￥0.4416 2500+:￥0.4669 500+:￥0.5401 150+:￥0.6348 50+:￥0.7107 5+:￥0.888 |
5200 |
-
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立即发货
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立创商城
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HXY30N06DF
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HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
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DFN3X3-8L
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6000+:￥0.4411 2000+:￥0.4544 500+:￥0.472 150+:￥0.652 50+:￥0.7279 5+:￥0.772 |
584 |
23+
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1工作日
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云汉芯城
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HXY30N06DF
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HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
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DFN3X3-8L
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15000+:￥0.4492 10000+:￥0.4609 5000+:￥0.4687 |
720000 |
24+
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5-7工作日
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云汉芯城
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 数量 | 1个N沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 连续漏极电流(Id) | 30A |
| 导通电阻(RDS(on)) | 25mΩ@10V |