HSU70P06
HUASHUO(华朔)
TO-252-2
¥3.29
7,892
场效应管(MOSFET)
数量:1个P沟道,漏源电压(Vdss):60V,连续漏极电流(Id):70A,导通电阻(RDS(on)):12mΩ@4.5V
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HSU70P06
HUASHUO(华朔)
TO-252-2

1000+:¥3.29

500+:¥3.44

100+:¥4.77

30+:¥5.52

10+:¥6.18

1+:¥7.39

1486

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HSU70P06
HUASHUO(华朔)
TO-252

500+:¥3.44

100+:¥4.77

20+:¥5.52

1+:¥7.39

6406

24+
HSU70P06
HUASHUO/深圳华朔半导体
TO-252

1000+:¥3.3696

300+:¥3.437

100+:¥3.5717

30+:¥4.2241

10+:¥4.4647

1+:¥4.8859

2500

25+
1工作日
HSU70P06
HUASHUO/深圳华朔半导体
TO-252

100+:¥4.6757

30+:¥5.421

10+:¥6.0741

1+:¥7.2716

275

2438+
1工作日
HSU70P06
HUASHUO
TO-252-2

2500+:¥3.528

100+:¥3.7985

1+:¥3.9083

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HSU70P06
HUASHUO(华朔)
TO-252(DPAK)

1000+:¥3.91

500+:¥4.08

100+:¥4.42

30+:¥4.76

1+:¥4.93

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
数量 1个P沟道
漏源电压(Vdss) 60V
连续漏极电流(Id) 70A
导通电阻(RDS(on)) 12mΩ@4.5V