咨询/建议
HSU18N20
HUASHUO(华朔)
TO-252-2
场效应管(MOSFET)
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：200V，连续漏极电流(Id)：18A，导通电阻(RDS(on))：170mΩ@10V,9A
|
厂家型号
|
厂牌
|
封装
|
价格(含税)
|
库存
|
批次
|
交期
|
渠道
|
|---|
|
HSU18N20
|
HUASHUO(华朔)
|
TO-252-2
|
1000+:￥1.6275 500+:￥1.7298 100+:￥1.9251 30+:￥2.2413 10+:￥2.5668 1+:￥3.2178 |
507 |
-
|
立即发货
|
立创商城
|
|
HSU18N20
|
HUASHUO(华朔)
|
TO-252
|
100+:￥1.925 30+:￥2.241 10+:￥2.567 1+:￥3.218 |
538 |
20+/21+
|
在芯间
|
价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 数量 | 1个N沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 200V |
| 连续漏极电流(Id) | 18A |
| 导通电阻(RDS(on)) | 170mΩ@10V,9A |