HSU100P04
HUASHUO(华朔)
TO-252-2
¥2.4552
3,053
场效应管(MOSFET)
数量:1个P沟道,漏源电压(Vdss):40V,连续漏极电流(Id):100A,导通电阻(RDS(on)):5.8mΩ@10V
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HSU100P04
HUASHUO(华朔)
TO-252-2

1000+:¥2.4552

500+:¥2.5947

100+:¥3.0411

30+:¥3.78

10+:¥4.29

1+:¥5.32

1942

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HSU100P04
HUASHUO(华朔)
TO-252

100+:¥3.107

30+:¥3.78

10+:¥4.29

1+:¥5.32

1111

20+/21+

价格趋势
规格参数
属性 属性值
数量 1个P沟道
漏源电压(Vdss) 40V
连续漏极电流(Id) 100A
导通电阻(RDS(on)) 5.8mΩ@10V