HSBB6115
HUASHUO(华朔)
PRPAK3x3-8L
¥1.15001
55,749
场效应管(MOSFET)
数量:1个P沟道,漏源电压(Vdss):60V,连续漏极电流(Id):26A,耗散功率(Pd):5.2W
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HSBB6115
HUASHUO(华朔)
PRPAK_3X3MM

1000+:¥1.15

500+:¥1.2

100+:¥1.3

30+:¥1.4

1+:¥1.45

3004

-
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HSBB6115
HUASHUO(华朔)
PRPAK3x3-8L

6000+:¥1.16

3000+:¥1.2

500+:¥1.27

150+:¥1.62

50+:¥1.89

5+:¥2.43

48745

-
立即发货
HSBB6115
HUASHUO(华朔)
PRPAK3x3-8L

500+:¥1.27

150+:¥1.62

50+:¥1.89

5+:¥2.43

4000

23+/24+
HSBB6115
HUASHUO/深圳华朔半导体
DFN-8

3000+:¥1.164

500+:¥1.2319

150+:¥1.5714

50+:¥1.837

5+:¥2.3951

3000

25+
1工作日
HSBB6115
HUASHUO/深圳华朔半导体
DFN-8

3000+:¥1.1762

500+:¥1.2482

150+:¥1.593

50+:¥1.8629

5+:¥2.4029

5095

2508+
1工作日
HSBB6115
HUASHUO(华朔)
PRPAK3x3

3000+:¥2.57

1+:¥2.68

0

-
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价格趋势
规格参数
属性 属性值
数量 1个P沟道
漏源电压(Vdss) 60V
连续漏极电流(Id) 26A
耗散功率(Pd) 5.2W