GBU808
DIODES(美台)
4-SIP,GBU
¥2.5655
538
整流桥
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):800 V,电流 - 平均整流 (Io):8 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 4 A
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GBU808
DIODES INCORPORATED

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GBU808
DIODES(美台)
DB-4P_22.05X3.43MM_TM

100+:¥3.6602

30+:¥3.8562

10+:¥3.9216

1+:¥4.2484

25

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DIODES(美台)
GBU

20+:¥1.5

1+:¥1.65

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美台(DIODES)
GBU

200+:¥1.65

40+:¥1.7813

20+:¥1.875

15+:¥2.625

5+:¥3.75

1+:¥6.1031

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Diodes(达尔)
GBU

1000+:¥2.4025

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DIODES(美台)
GBU

30+:¥4.35

10+:¥4.88

1+:¥5.94

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GBU808
DIODES(美台)
GBU

30+:¥4.47

10+:¥5.07

1+:¥6.17

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
二极管类型 单相
技术 标准
电压 - 峰值反向(最大值) 800 V
电流 - 平均整流 (Io) 8 A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf) 1 V @ 4 A
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 5 µA @ 800 V
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 通孔
封装/外壳 4-SIP,GBU