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FQPF4N90C
onsemi(安森美)
TO-220F-3
¥4.3956
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场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):900 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4A(Tc),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
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FQPF4N90C
onsemi(安森美)
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500+:¥4.5837

100+:¥4.9896

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3000+:¥4.56452

1000+:¥4.62893

500+:¥4.69334

100+:¥4.74916

1+:¥4.80928

12179

23+
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30+:¥6.73

10+:¥8.15

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4842

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50+:¥4.5344

1+:¥4.8984

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FQPF4N90C
安森美(onsemi)
TO-220F

10000+:¥4.796

2000+:¥5.1775

1000+:¥5.45

500+:¥7.63

100+:¥10.9

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50+:¥5.04

1+:¥5.29

25

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10+:¥5.181

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1+:¥5.5016

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30+:¥3.4362

10+:¥3.4944

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 900 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 4A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 4.2 欧姆 @ 2A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 22 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 960 pF @ 25 V
功率耗散(最大值) 47W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-220-3 整包