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FQD2N60CTM
onsemi(安森美)
TO-252(DPAK)
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：600 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：1.9A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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交期
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渠道
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FQD2N60CTM
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ON(安森美)
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D-Pak
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2500+:￥1.14 1+:￥1.21 |
2375 |
25+
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圣禾堂
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FQD2N60CTM
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ON(安森美)
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TO-252(DPAK)
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2500+:￥1.1856 1+:￥1.2584 |
2371 |
25+
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1-2工作日发货
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硬之城
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FQD2N60CTM
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onsemi(安森美)
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TO-252(DPAK)
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1000+:￥1.27 500+:￥1.35 100+:￥1.72 30+:￥2.03 10+:￥2.27 1+:￥2.84 |
8840 |
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立创商城
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FQD2N60CTM
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ON(安森美)
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TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
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1250+:￥1.331 100+:￥1.529 30+:￥1.991 |
2375 |
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3天-15天
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唯样商城
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FQD2N60CTM
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ON(安森美)
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TO-252(DPAK)
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5000+:￥1.5078 1000+:￥1.5358 500+:￥1.5638 100+:￥1.5904 10+:￥1.61 |
31364 |
23+
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现货
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硬之城
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 600 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 1.9A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 4.7 欧姆 @ 950mA，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 12 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 235 pF @ 25 V |
| 功率耗散（最大值） | 2.5W（Ta），44W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |