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FQD16N25CTM
onsemi(安森美)
DPAK
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：250 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：16A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
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价格(含税)
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FQD16N25CTM
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ON(安森美)
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TO-252-3
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2500+:￥2.5 1+:￥2.61 |
1523 |
24+
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圣禾堂
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FQD16N25CTM
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ON(安森美)
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TO-252-3
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5000+:￥2.5512 1000+:￥2.5872 500+:￥2.6232 100+:￥2.6544 10+:￥2.688 |
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24+
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现货
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硬之城
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FQD16N25CTM
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ON(安森美)
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TO-252-3
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2500+:￥2.6 1+:￥2.7144 |
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24+
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硬之城
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FQD16N25CTM
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ON(安森美)
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TO-252(DPAK)
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1250+:￥2.871 100+:￥3.157 20+:￥3.795 |
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唯样商城
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FQD16N25CTM
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onsemi(安森美)
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DPAK
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1000+:￥4.1 500+:￥4.28 100+:￥4.66 30+:￥6.17 10+:￥6.94 1+:￥8.33 |
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 250 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 16A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 270 毫欧 @ 8A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 53.5 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1080 pF @ 25 V |
| 功率耗散（最大值） | 160W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |