FQD13N06LTM
onsemi(安森美)
DPAK
¥1.715
52,928
场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):60 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A(Tc),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):5V,10V
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FQD13N06LTM
onsemi(安森美)
DPAK

1000+:¥1.715

500+:¥1.8228

100+:¥2.3128

30+:¥2.71

10+:¥3.07

1+:¥3.78

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ON(安森美)
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5000+:¥1.9386

1000+:¥1.9746

500+:¥2.0106

100+:¥2.0448

10+:¥2.07

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2500+:¥2.1

1+:¥2.19

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2500+:¥2.184

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1250+:¥2.409

100+:¥2.662

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3天-15天
FQD13N06LTM
安森美(onsemi)
TO-252AA

1000+:¥2.7467

500+:¥3.1587

100+:¥3.4334

30+:¥3.8454

10+:¥4.6694

1+:¥5.4934

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 11A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 115 毫欧 @ 5.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 6.4 nC @ 5 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 350 pF @ 25 V
功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),28W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63