FDV303N
MSKSEMI(美森科)
SOT-23
¥0.10233
29,027
场效应管(MOSFET)
数量:1个N沟道,漏源电压(Vdss):30V,连续漏极电流(Id):2A,导通电阻(RDS(on)):200mΩ@4.5V
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FDV303N
MSKSEMI(美森科)
SOT-23

21000+:¥0.1023

9000+:¥0.1088

3000+:¥0.1218

600+:¥0.1315

200+:¥0.1531

20+:¥0.1963

9080

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FDV303N
MSKSEMI(美森科)
SOT-23

3000+:¥0.113

1+:¥0.128

4762

2年内
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FDV303N
Msksemi(美森科)
SOT-23

3000+:¥0.11752

1+:¥0.13312

4757

2年内
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FDV303N
美森科(MSKSEMI)
SOT-23

30000+:¥0.1243

6000+:¥0.1342

3000+:¥0.1413

800+:¥0.1978

100+:¥0.2826

20+:¥0.4599

4762

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FDV303N
MSKSEMI(美森科)
SOT-23

1200+:¥0.1262

300+:¥0.147

20+:¥0.1884

904

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
数量 1个N沟道
漏源电压(Vdss) 30V
连续漏极电流(Id) 2A
导通电阻(RDS(on)) 200mΩ@4.5V