咨询/建议
FDV301N
onsemi(安森美)
SOT-23
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：25 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：220mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.7V，4.5V
|
厂家型号
|
厂牌
|
封装
|
价格(含税)
|
库存
|
批次
|
交期
|
渠道
|
|---|
|
FDV301N
|
ON SEMICONDUCTOR
|
SOT-23
|
1000+:￥0.1127 100+:￥0.1225 1+:￥0.1304 |
5590 |
2435
|
现货最快4H发
|
京北通宇
|
|
FDV301N
|
onsemi(安森美)
|
SOT-23
|
9000+:￥0.1196 6000+:￥0.1244 3000+:￥0.1314 300+:￥0.1842 100+:￥0.2088 10+:￥0.2566 |
97530 |
-
|
立即发货
|
立创商城
|
|
FDV301N
|
ON(安森美)
|
SOT-23
|
3000+:￥0.124 1+:￥0.14 |
1182 |
24+
|
立即发货
|
圣禾堂
|
|
FDV301N
|
ON(安森美)
|
SOT-23-3
|
3000+:￥0.12896 1+:￥0.1456 |
12357 |
2年内
|
1-2工作日发货
|
硬之城
|
|
FDV301N
|
ON(安森美)
|
SOT-23-3
|
3000+:￥0.12896 1+:￥0.1456 |
1177 |
24+
|
1-2工作日发货
|
硬之城
|
点击查看更多
价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 25 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 220mA（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 2.7V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 4 欧姆 @ 400mA，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.06V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 0.7 nC @ 4.5 V |
| Vgs（最大值） | ±8V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 9.5 pF @ 10 V |
| 功率耗散（最大值） | 350mW（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |