FDS6679AZ
onsemi(安森美)
SO-8
¥1.34625
30,991
场效应管(MOSFET)
FET 类型:P 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):30 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):13A(Ta),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
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FDS6679AZ
ON(安森美)
SO-8

2500+:¥1.45

1+:¥1.51

233

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FDS6679AZ
onsemi(安森美)
SO-8

1000+:¥1.4652

500+:¥1.5642

100+:¥1.7226

30+:¥2.12

10+:¥2.41

1+:¥3.11

2312

-
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FDS6679AZ
ON(安森美)
SOIC-8-150mil

2500+:¥1.508

1+:¥1.5704

226

25+
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FDS6679AZ
安森美(onsemi)
SOIC-8

25000+:¥1.595

5000+:¥1.7219

2500+:¥1.8125

800+:¥2.5375

200+:¥3.625

10+:¥5.8997

233

-
FDS6679AZ
ON(安森美)
SOIC-8-150mil

5000+:¥1.70166

1000+:¥1.73326

500+:¥1.76486

100+:¥1.79488

10+:¥1.817

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