FDS6675BZ
onsemi(安森美)
SO-8
¥1.7232
147,057
场效应管(MOSFET)
FET 类型:P 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):30 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A(Ta),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
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FDS6675BZ
ON(安森美)
SO-8

5000+:¥1.7232

1000+:¥1.7552

500+:¥1.7872

100+:¥1.8176

10+:¥1.84

137681

24+
现货
FDS6675BZ
onsemi(安森美)
SO-8

1000+:¥1.7325

500+:¥1.8414

100+:¥2.2671

30+:¥2.64

10+:¥3.0

1+:¥3.71

636

-
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FDS6675BZ
ON(安森美)
8-SOIC

2500+:¥1.79

1+:¥1.86

849

23+
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FDS6675BZ
ON(安森美)
SO-8

2500+:¥1.8616

1+:¥1.9344

841

23+
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FDS6675BZ
安森美(onsemi)
SO-8

25000+:¥1.969

5000+:¥2.1256

2500+:¥2.2375

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849

-
FDS6675BZ
onsemi(安森美)
SOP8

500+:¥2.26

100+:¥2.55

20+:¥2.98

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18+/19+
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ON(安森美)
8-SOIC

100+:¥2.365

20+:¥3.069

849

-
3天-15天
FDS6675BZ
ON(安森美)
SOIC8_150MIL

30+:¥2.5005

10+:¥2.5436

1+:¥2.7592

662

-
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FDS6675BZ
ON SEMICONDUCTOR
8-SOIC

1+:¥2.5088

992

2414
现货最快4H发
FDS6675BZ
ON Semiconductor
SOIC-8

500+:¥1.86

100+:¥2.1

30+:¥2.55

10+:¥2.9236

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855

2324+
1工作日
FDS6675BZ
ON(安森美)
SO-8

2500+:¥1.8616

1250+:¥1.9344

100+:¥2.236

1+:¥2.9016

959

--
1-3工作日
FDS6675BZ
On Semiconductor/Fairchild
SOIC-8

20000+:¥1.888

5000+:¥1.92

2500+:¥1.952

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139760

24+
3-5工作日
FDS6675BZ
ON(安森美)
SOIC-8

2500+:¥1.969

1250+:¥2.046

100+:¥2.365

1+:¥3.069

959

23+
2-4工作日
FDS6675BZ
On Semiconductor/Fairchild
SOIC-8

3000+:¥2.2668

1000+:¥2.3256

500+:¥2.3851

100+:¥2.5075

502

-
3-6工作日
FDS6675BZ
On Semiconductor/Fairchild
SOIC-8

75+:¥5.267

45+:¥5.7938

15+:¥6.384

19839

-
14-18工作日
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On Semiconductor/Fairchild
SOIC-8

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1695

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10-15工作日

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