FDN360P
onsemi(安森美)
SOT-23
¥0.49
195,543
场效应管(MOSFET)
FET 类型:P 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):30 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2A(Ta),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
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FDN360P
ON(安森美)
SuperSOT-3

3000+:¥0.49

1+:¥0.524

8513

25+
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FDN360P
ON(安森美)
SuperSOT-3

3000+:¥0.5096

1+:¥0.54496

8509

25+
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FDN360P
FAIRCHILD
3-SSOT

1+:¥0.5096

626

2247
现货最快4H发
FDN360P
onsemi(安森美)
SOT-23

6000+:¥0.511

3000+:¥0.5485

500+:¥0.7201

150+:¥0.8602

50+:¥0.9725

5+:¥1.2346

605

-
立即发货
FDN360P
ON SEMICONDUCTOR
SOT-23-3

1+:¥0.5136

130

2338
现货最快4H发
FDN360P
安森美(onsemi)
SOT-23

30000+:¥0.5221

6000+:¥0.5636

3000+:¥0.5933

800+:¥0.8306

200+:¥1.1866

10+:¥1.9312

60000

-
FDN360P
ON(安森美)
SuperSOT-3

3000+:¥0.5385

1000+:¥0.5485

500+:¥0.5585

100+:¥0.568

10+:¥0.575

107812

23+
现货
FDN360P
ON(安森美)
SOT-23

1500+:¥0.5764

200+:¥0.6336

60+:¥0.9196

8833

-
3天-15天
FDN360P
ON(安森美)
SOT-23

600+:¥0.6913

50+:¥0.9336

5+:¥1.1852

515

-
立即发货
FDN360P
ON(安森美)
SuperSOT-3

3000+:¥0.5096

1500+:¥0.54496

200+:¥0.59904

1+:¥0.86944

9279

--
1-3工作日
FDN360P
ON Semiconductor
SOT-23-3

9000+:¥0.511

3000+:¥0.546

500+:¥0.62

150+:¥0.7

50+:¥0.82

5+:¥0.97

9776

2408+
1工作日
FDN360P
On Semiconductor/Fairchild
SOT-23-3

24000+:¥0.5278

12000+:¥0.5371

6000+:¥0.5463

3000+:¥0.5788

30000

23+
3-6工作日
FDN360P
On Semiconductor/Fairchild
SOT-23-3

30000+:¥0.5624

15000+:¥0.577

9000+:¥0.5966

3000+:¥0.6113

60000

-
3-5工作日
FDN360P
On Semiconductor/Fairchild
SOT-23-3

3000+:¥0.5734

1000+:¥0.5882

500+:¥0.6033

100+:¥0.6343

8749

-
3-6工作日
FDN360P
On Semiconductor/Fairchild
SOT-23-3

24000+:¥0.6608

6000+:¥0.672

3000+:¥0.6832

1+:¥0.7

109092

23+
3-5工作日
FDN360P
ON SEMICONDUCTOR
SOT-23-3

500+:¥0.6842

150+:¥0.8174

50+:¥0.9243

5+:¥1.1735

2320

24+
1工作日
FDN360P
On Semiconductor/Fairchild
SOT-23-3

250+:¥1.0695

150+:¥1.18

50+:¥1.296

187179

-
14-18工作日

价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 2A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 80 毫欧 @ 2A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 9 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 298 pF @ 15 V
功率耗散(最大值) 500mW(Ta)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3