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FDN358P
onsemi(安森美)
SOT-23
场效应管(MOSFET)
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：1.5A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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FDN358P
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ON(安森美)
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SuperSOT-3
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3000+:￥0.87237 1000+:￥0.88857 500+:￥0.90477 100+:￥0.92016 10+:￥0.9315 |
92334 |
24+
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现货
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硬之城
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FDN358P
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ON(安森美)
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SSOT-3
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3000+:￥0.899 1+:￥0.949 |
1030 |
23+
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立即发货
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圣禾堂
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FDN358P
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ON(安森美)
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SOT-23-3
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3000+:￥0.93496 1+:￥0.98696 |
1011 |
23+
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1-2工作日发货
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硬之城
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FDN358P
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安森美(onsemi)
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SOT-23-3
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30000+:￥0.9889 6000+:￥1.0676 3000+:￥1.1238 800+:￥1.5733 100+:￥2.2476 20+:￥3.658 |
1019 |
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油柑网
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FDN358P
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ON(安森美)
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TO-236-3,SC-59,SOT-23-3SuperSOT
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750+:￥1.111 100+:￥1.243 40+:￥1.551 |
1019 |
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3天-15天
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唯样商城
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FDN358P
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ON SEMICONDUCTOR
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SOT-23-3
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1+:￥1.127 |
2840 |
2325
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现货最快4H发
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京北通宇
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FDN358P
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onsemi(安森美)
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SOT-23
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150+:￥1.2494 50+:￥1.4268 5+:￥1.8406 |
185 |
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立即发货
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立创商城
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FDN358P
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ON Semiconductor
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SUPERSOT-3
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1000+:￥0.92 500+:￥0.9814 100+:￥1.0683 30+:￥1.1284 10+:￥1.2051 1+:￥1.3639 |
867 |
2328+
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1工作日
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云汉芯城
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FDN358P
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ON(安森美)
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SuperSOT-3
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3000+:￥0.93496 1500+:￥0.98696 750+:￥1.0504 100+:￥1.1752 1+:￥1.4664 |
1030 |
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1-3工作日
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硬之城
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FDN358P
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On Semiconductor/Fairchild
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SUPERSOT-3
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24000+:￥0.9558 6000+:￥0.972 3000+:￥0.9882 1+:￥1.0125 |
94800 |
24+
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3-5工作日
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云汉芯城
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FDN358P
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ON(安森美)
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SUPERSOT-3
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39000+:￥0.9746 18000+:￥0.9845 3000+:￥0.9889 1500+:￥1.0439 750+:￥1.111 100+:￥1.243 1+:￥1.551 |
1038 |
23+
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2-4工作日
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云汉芯城
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FDN358P
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onsemi(安森美)
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SUPERSOT-3
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232+:￥1.5169 230+:￥1.53 229+:￥1.5564 228+:￥1.6488 |
2698 |
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6-8工作日
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云汉芯城
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FDN358P
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On Semiconductor/Fairchild
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SUPERSOT-3
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125+:￥2.553 75+:￥2.8084 25+:￥3.084 |
79444 |
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14-18工作日
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云汉芯城
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FDN358P
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On Semiconductor/Fairchild
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SUPERSOT-3
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500+:￥3.7637 250+:￥3.865 100+:￥3.965 25+:￥4.0637 5+:￥4.1386 |
600 |
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10-15工作日
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云汉芯城
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FDN358P
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ON(安森美)
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SOT-23
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9+:￥1.7493 1+:￥1.767 |
9 |
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立即发货
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华秋商城
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 1.5A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 125 毫欧 @ 1.5A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 5.6 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 182 pF @ 15 V |
| 功率耗散（最大值） | 500mW（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |