FDN340P
UMW(友台半导体)
SOT-23
¥0.147
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场效应管(MOSFET)
FET 类型:P 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):20 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2A(Ta),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V,4.5V
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3000+:¥0.15288

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100+:¥0.1593

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9000+:¥0.1636

6000+:¥0.1762

3000+:¥0.2014

300+:¥0.233

100+:¥0.275

10+:¥0.3591

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SOT-23

1200+:¥0.2168

600+:¥0.219

100+:¥0.2585

10+:¥0.3376

605

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3000+:¥0.2205

1500+:¥0.2475

200+:¥0.285

140+:¥0.3835

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友台半导体(UMW)
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2000+:¥0.2385

1000+:¥0.3297

500+:¥0.3775

100+:¥0.4013

20+:¥0.449

5+:¥0.5466

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3000+:¥0.1549

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 2A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.8V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 70 毫欧 @ 2A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 8 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值) ±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 600 pF @ 10 V
功率耗散(最大值) 1.1W(Ta)
工作温度 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3