FDN306P
onsemi(安森美)
SOT-23
¥0.7227
31,559
场效应管(MOSFET)
FET 类型:P 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):12 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.6A(Ta),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V,4.5V
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价格(含税)
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FDN306P
onsemi(安森美)
SOT-23

6000+:¥0.7227

3000+:¥0.7627

500+:¥0.8757

150+:¥1.0356

50+:¥1.1567

5+:¥1.4393

3245

-
立即发货
FDN306P
ON(安森美)
SuperSOT-3

3000+:¥0.75

1+:¥0.808

2862

24+
立即发货
FDN306P
ON(安森美)
SOT-23

3000+:¥0.78

1+:¥0.84032

2854

24+
1-2工作日发货
FDN306P
安森美(onsemi)
SOT-23-3

30000+:¥0.8249

6000+:¥0.8906

3000+:¥0.9375

800+:¥1.3125

200+:¥1.875

10+:¥3.0516

2963

-
FDN306P
ON(安森美)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

1500+:¥0.8888

750+:¥0.9779

100+:¥1.177

40+:¥1.529

2963

-
3天-15天
FDN306P
ON SEMICONDUCTOR
SOT-23

1+:¥0.938

16651

2307
现货最快4H发
FDN306P
ON(安森美)
SSOT-3

3000+:¥0.7302

1000+:¥0.74376

500+:¥0.75732

100+:¥0.7702

1+:¥0.7797

21

24+
现货
FDN306P
On Semiconductor/Fairchild
SOT-23-3

1000+:¥0.6316

200+:¥0.6554

20+:¥0.6997

38

23+
4-7工作日
FDN306P
On Semiconductor/Fairchild
SOT-23-3

2000+:¥0.7458

500+:¥0.7594

100+:¥0.7797

50+:¥0.8

1+:¥0.8136

21

24+
3-4工作日
FDN306P
ON(安森美)
SSOT-3

3000+:¥0.78

1500+:¥0.84032

750+:¥0.92456

100+:¥1.1128

1+:¥1.4456

2974

--
1-3工作日
FDN306P
On Semiconductor/Fairchild
SOT-23-3

30000+:¥0.8027

15000+:¥0.8236

9000+:¥0.8516

3000+:¥0.8725

96911

-
3-5工作日
FDN306P
ON(安森美)
SOT-23-3

39000+:¥0.8129

18000+:¥0.8206

3000+:¥0.825

1500+:¥0.8888

750+:¥0.9779

100+:¥1.177

1+:¥1.529

2974

24+
2-4工作日
FDN306P
On Semiconductor/Fairchild
SOT-23-3

24000+:¥0.912

12000+:¥0.92

6000+:¥0.936

3000+:¥0.96

30000

-
7-10工作日
FDN306P
On Semiconductor/Fairchild
SOT-23-3

125+:¥2.254

75+:¥2.478

25+:¥2.736

47717

-
14-18工作日
FDN306P
On Semiconductor/Fairchild
SOT-23-3

1250+:¥2.8327

250+:¥3.442

100+:¥3.5298

25+:¥3.6259

15855

-
10-15工作日

价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 12 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 2.6A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.8V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 40 毫欧 @ 2.6A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 17 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值) ±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 1138 pF @ 6 V
功率耗散(最大值) 500mW(Ta)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3