FDN304P
onsemi(安森美)
SOT-23
¥0.6369
178,722
场效应管(MOSFET)
FET 类型:P 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):20 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.4A(Ta),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V,4.5V
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FDN304P
onsemi(安森美)
SOT-23

6000+:¥0.6369

3000+:¥0.6802

500+:¥0.8351

150+:¥0.997

50+:¥1.1268

5+:¥1.4296

18780

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ON(安森美)
SuperSOT-3

3000+:¥0.642

1+:¥0.69

5305

24+
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FDN304P
ON(安森美)
SOT-23,SOT-23-3

3000+:¥0.6462

1000+:¥0.6582

500+:¥0.6702

100+:¥0.6816

10+:¥0.69

134002

24+
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ON(安森美)
SOT-23,SOT-23-3

3000+:¥0.66768

1+:¥0.7176

5300

24+
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FDN304P
安森美(onsemi)
SOT-23

30000+:¥0.7062

6000+:¥0.7624

3000+:¥0.8025

800+:¥1.1235

100+:¥1.605

20+:¥2.6122

5305

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 2.4A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.8V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 52 毫欧 @ 2.4A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 20 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值) ±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 1312 pF @ 10 V
功率耗散(最大值) 500mW(Ta)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3