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FDN302P
onsemi(安森美)
SOT-23-3
场效应管(MOSFET)
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：20 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：2.4A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，4.5V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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FDN302P
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ON(安森美)
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SOT-23-3,SOT-23
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3000+:￥0.6462 1000+:￥0.6582 500+:￥0.6702 100+:￥0.6816 10+:￥0.69 |
62347 |
24+
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现货
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硬之城
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FDN302P
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ON(安森美)
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SSOT-3
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3000+:￥0.766 1+:￥0.826 |
157 |
23+
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立即发货
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圣禾堂
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FDN302P
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ON(安森美)
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SOT-23-3,SOT-23
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3000+:￥0.79664 1+:￥0.85904 |
152 |
23+
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1-2工作日发货
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硬之城
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FDN302P
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安森美(onsemi)
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SOT-23
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30000+:￥0.8426 6000+:￥0.9096 3000+:￥0.9575 800+:￥1.3405 200+:￥1.915 10+:￥3.1167 |
157 |
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油柑网
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FDN302P
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onsemi(安森美)
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SOT-23-3
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500+:￥1.02 150+:￥1.0316 50+:￥1.0431 5+:￥1.0604 |
1355 |
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立即发货
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立创商城
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FDN302P
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ON(安森美)
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TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
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100+:￥1.199 40+:￥1.551 |
157 |
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3天-15天
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唯样商城
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FDN302P
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ON SEMICONDUCTOR
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SOT-23
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1+:￥1.8248 |
12 |
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现货最快4H发
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京北通宇
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FDN302P
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ON(安森美)
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SOT-23-3,SOT-23
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3000+:￥0.79664 1500+:￥0.85904 750+:￥0.94536 100+:￥1.1336 1+:￥1.4664 |
172 |
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1-3工作日
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硬之城
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FDN302P
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onsemi(安森美)
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SOT-23
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30+:￥2.32 10+:￥2.6 1+:￥3.24 |
3 |
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立即发货
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立创商城
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 20 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 2.4A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 2.5V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 55 毫欧 @ 2.4A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 14 nC @ 4.5 V |
| Vgs（最大值） | ±12V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 882 pF @ 10 V |
| 功率耗散（最大值） | 500mW（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |