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FDMS86200
onsemi(安森美)
PDFN-8(4.9x5.8)
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：150 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：9.6A（Ta），35A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V
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厂家型号
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封装
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价格(含税)
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库存
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FDMS86200
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ON(安森美)
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PQFN-8(5x6)
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3000+:￥3.60357 1000+:￥3.65442 500+:￥3.70527 100+:￥3.74934 10+:￥3.7968 |
9000 |
25+
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现货
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硬之城
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FDMS86200
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onsemi(安森美)
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PDFN-8(4.9x5.8)
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1000+:￥3.6729 500+:￥3.8313 100+:￥4.1679 30+:￥5.0 10+:￥5.69 1+:￥6.95 |
8212 |
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立创商城
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FDMS86200
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onsemi(安森美)
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POWER56
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500+:￥4.45 100+:￥5.05 20+:￥6.33 1+:￥7.47 |
6820 |
20+/21+
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在芯间
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FDMS86200
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ON SEMICONDUCTOR
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8-PowerTDFN
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1+:￥8.2834 |
457 |
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现货最快4H发
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京北通宇
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FDMS86200
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ON(安森美)
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8-PQFN（5x6）
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3000+:￥3.88 1+:￥4.03 |
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20+
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圣禾堂
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 150 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 9.6A（Ta），35A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 6V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 18 毫欧 @ 9.6A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 46 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 2715 pF @ 75 V |
| 功率耗散（最大值） | 2.5W（Ta），104W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN |