FDG6303N
onsemi(安森美)
SC-70-6
¥0.423027
50,282
场效应管(MOSFET)
FET 类型:2 N-通道(双),FET 功能:逻辑电平门,漏源电压(Vdss):25V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):500mA,不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):450 毫欧 @ 500mA,4.5V
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FDG6303N
onsemi(安森美)
SC-70-6

6000+:¥0.423

3000+:¥0.4507

500+:¥0.5061

150+:¥0.5811

50+:¥0.6744

5+:¥0.8608

3015

-
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SOT-323-6

3000+:¥0.425

1+:¥0.454

342

24+
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FDG6303N
ON(安森美)
SOT-323-6

3000+:¥0.42595

1000+:¥0.43386

500+:¥0.44177

100+:¥0.44928

10+:¥0.45482

41892

23+
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FDG6303N
ON(安森美)
SOT-323-6

3000+:¥0.4308

1000+:¥0.4388

500+:¥0.4468

100+:¥0.4544

10+:¥0.46

465

23+
现货
FDG6303N
ON(安森美)
SOT-323-6

3000+:¥0.442

1+:¥0.47216

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 2 N-通道(双)
FET 功能 逻辑电平门
漏源电压(Vdss) 25V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 500mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 450 毫欧 @ 500mA,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 2.3nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 50pF @ 10V
功率 - 最大值 300mW
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 6-TSSOP,SC-88,SOT-363