ES1D-T R3g
Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
SMA
¥0.2487
10
快恢复/高效率二极管
正向压降(Vf):950mV@1A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:1A,反向电流(Ir):5uA@200V
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ES1D-T R3g
Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
SMA

300+:¥0.2487

100+:¥0.2847

10+:¥0.3567

10

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
正向压降(Vf) 950mV@1A
直流反向耐压(Vr) 200V
整流电流 1A
反向电流(Ir) 5uA@200V