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DRV8304HRHAR
TI(德州仪器)
VQFN-40-EP(6x6)
栅极驱动芯片
驱动配置：高压侧或低压侧，通道类型：3 相，驱动器数：3，栅极类型：N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：6V ~ 38V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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渠道
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DRV8304HRHAR
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TI(德州仪器)
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VQFN-40(6x6)
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1000+:￥11.84 500+:￥13.47 200+:￥15.08 1+:￥17.8 |
132 |
19+/20+
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在芯间
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DRV8304HRHAR
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TI(德州仪器)
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VQFN-40-EP(6x6)
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30+:￥13.29 10+:￥14.89 1+:￥17.57 |
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立即发货
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立创商城
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德州仪器(TI)
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VQFN-40-EP(6x6)
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30+:￥15.1073 10+:￥18.1288 1+:￥27.1931 |
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油柑网
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 驱动配置 | 高压侧或低压侧 |
| 通道类型 | 3 相 |
| 驱动器数 | 3 |
| 栅极类型 | N 沟道 MOSFET |
| 电压 - 供电 | 6V ~ 38V |
| 逻辑电压\xa0- VIL，VIH | 0.8V，1.5V |
| 电流 - 峰值输出（灌入，拉出） | 150mA，300mA |
| 输入类型 | 非反相 |
| 上升/下降时间（典型值） | 300ns，150ns |
| 工作温度 | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 40-VFQFN 裸露焊盘 |
产地信息
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 晶圆地（国家/地区）(CCO) | TI:United States |
| 晶圆地（城市）(CSO) | TI:Dallas, US;Richardson, US |
| 封装地（国家/地区）(ACO) | TI:China;Malaysia;Philippines External:China;Thailand |
| 封装地（城市）(ASO) | TI:Chengdu, CN;Melaka, MY;Angeles City, PH External:4 |