DN2540N8-G
MICROCHIP(美国微芯)
SOT-89
¥5.7
3,644
场效应管(MOSFET)
数量:1个N沟道,漏源电压(Vdss):400V,连续漏极电流(Id):170mA,导通电阻(RDS(on)):25Ω@0V,120mA
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DN2540N8-G
MICROCHIP(美国微芯)
TO-243AA(SOT-89)

2000+:¥5.7

1+:¥5.9

175

23+
立即发货
DN2540N8-G
Microchip(微芯)
SOT-89-3

2000+:¥5.928

1+:¥6.136

171

23+
1-2工作日发货
DN2540N8-G
MICROCHIP(美国微芯)
SOT-89

100+:¥6.23

30+:¥7.35

10+:¥8.34

1+:¥10.13

339

-
立即发货
DN2540N8-G
美国微芯(MICROCHIP)
SOT-89-3

20000+:¥6.27

4000+:¥6.7688

2000+:¥7.125

500+:¥9.975

200+:¥14.25

10+:¥23.1919

175

-
DN2540N8-G
MICROCHIP(美国微芯)
SOT89

500+:¥6.39

100+:¥6.45

20+:¥8.22

1+:¥10.5

2600

23+
DN2540N8-G
Microchip
SOT-89

100+:¥6.809

7+:¥7.909

175

-
3天-15天
DN2540N8-G
Microchip(微芯)
SOT-89-3

2000+:¥5.928

1000+:¥6.136

100+:¥6.4376

1+:¥7.4776

459

--
1-3工作日
DN2540N8-G
Microchip(微芯科技)
SOT89-3

30+:¥11.5853

10+:¥11.7816

1+:¥12.7634

0

-
立即发货
DN2540N8-G
MICROCHIP
SOT-89

1+:¥40.2094

9

-
现货最快4H发

价格趋势
规格参数
属性 属性值
数量 1个N沟道
漏源电压(Vdss) 400V
连续漏极电流(Id) 170mA
导通电阻(RDS(on)) 25Ω@0V,120mA