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DMTH6016LPSQ-13
DIODES(美台)
PowerDI-5060-8
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：9.8A（Ta），37A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
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厂家型号
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封装
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价格(含税)
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渠道
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DMTH6016LPSQ-13
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DIODES(美台)
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PowerDI5060-8
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2500+:￥1.02 1+:￥1.08 |
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圣禾堂
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DIODES(美台)
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PowerDI-5060-8
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1000+:￥1.16 500+:￥1.23 100+:￥1.45 30+:￥1.72 10+:￥1.94 1+:￥2.46 |
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Diodes(达尔)
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PowerDI5060-8
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1250+:￥1.188 100+:￥1.364 30+:￥1.76 |
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PowerTDFN8
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1000+:￥1.2236 500+:￥1.283 100+:￥1.4018 30+:￥1.5207 1+:￥1.58 |
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美台(DIODES)
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PowerDI-5060-8
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25000+:￥1.3596 5000+:￥1.4677 2500+:￥1.545 800+:￥1.5526 200+:￥1.5576 10+:￥1.6221 |
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 60 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 9.8A（Ta），37A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 16 毫欧 @ 20A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 17 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 864 pF @ 30 V |
| 功率耗散（最大值） | 2.6W（Ta），37.5W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN |