DMT6016LSS-13
DIODES(美台)
SO-8
¥1.2
5,755
场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):60 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9.2A(Ta),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
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渠道
DMT6016LSS-13
DIODES(美台)
SO-8

1000+:¥1.2

500+:¥1.28

100+:¥1.42

30+:¥1.72

10+:¥1.96

1+:¥2.53

3065

-
立即发货
DMT6016LSS-13
DIODES(美台)
SOIC8_150MIL

500+:¥1.2544

10+:¥1.9208

1+:¥2.4794

200

-
立即发货
DMT6016LSS-13
Diodes(达尔)
SO

1250+:¥1.375

100+:¥1.584

30+:¥2.046

2100

-
3天-15天
DMT6016LSS-13
DIODES
SOIC-8

500+:¥1.532

100+:¥1.625

20+:¥1.823

1+:¥2.188

390

21+
DMT6016LSS-13
DIODES(美台)
SO-8

2500+:¥1.18

1+:¥1.25

272

25+
立即发货
DMT6016LSS-13
美台(DIODES)
SOIC-8

25000+:¥1.2173

5000+:¥1.3141

2500+:¥1.3833

800+:¥1.9366

200+:¥2.7666

10+:¥4.2882

0

-
DMT6016LSS-13
DIODES INCORPORATED
8-SOIC

1+:¥2.8313

0

-
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