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DMP6350S-7
DIODES(美台)
SOT-23
场效应管(MOSFET)
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：1.5A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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DMP6350S-7
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DIODES(美台)
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SOT23
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3000+:￥0.33 1+:￥0.353 |
3854 |
25+
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立即发货
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圣禾堂
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DMP6350S-7
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Diodes(美台)
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SOT-23
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3000+:￥0.3536 1+:￥0.37856 |
2078 |
25+
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1-2工作日发货
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硬之城
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DMP6350S-7
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DIODES INCORPORATED
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SOT-23
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100+:￥0.4366 1+:￥0.7082 |
11060 |
2219
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现货最快4H发
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京北通宇
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DMP6350S-7
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Diodes(达尔)
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TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
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1500+:￥0.4732 200+:￥0.52 80+:￥0.6391 |
2083 |
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3天-15天
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唯样商城
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DMP6350S-7
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DIODES(美台)
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SOT-23
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1200+:￥0.5272 600+:￥0.5326 50+:￥0.6188 5+:￥0.7419 |
1000 |
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立即发货
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华秋商城
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DMP6350S-7
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DIODES(美台)
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SOT-23(SOT-23-3)
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100+:￥0.537 30+:￥0.599 10+:￥0.682 5+:￥0.849 |
12015 |
20+/21+
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在芯间
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DMP6350S-7
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DIODES(美台)
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SOT-23
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500+:￥0.538 150+:￥0.5866 50+:￥0.6514 5+:￥0.781 |
1440 |
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立即发货
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立创商城
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DMP6350S-7
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Diodes(美台)
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SOT-23-3
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3000+:￥0.3432 1500+:￥0.36712 200+:￥0.40456 1+:￥0.58552 |
19375 |
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1-3工作日
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硬之城
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DMP6350S-7
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DIODES(美台)
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SOT-23-3
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3000+:￥0.3663 1500+:￥0.3918 200+:￥0.4318 1+:￥0.6249 |
21395 |
25+
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2-4工作日
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云汉芯城
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DMP6350S-7
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Diodes Incorporated
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SOT-23-3
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15000+:￥0.3729 9000+:￥0.3795 6000+:￥0.3894 3000+:￥0.4125 |
30000 |
24+
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5-10工作日
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云汉芯城
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DMP6350S-7
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Diodes Incorporated
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SOT-23-3
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300+:￥0.413 200+:￥0.42 100+:￥0.4305 1+:￥0.5 |
549 |
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3-6工作日
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云汉芯城
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DMP6350S-7
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Diodes Incorporated
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SOT-23-3
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60000+:￥0.4232 3000+:￥0.4269 1500+:￥0.4342 100+:￥0.449 |
99999 |
25+
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3-5工作日
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云汉芯城
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DMP6350S-7
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DIODES
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SOT-23-3
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3000+:￥0.5095 500+:￥0.5621 150+:￥0.6133 50+:￥0.6781 5+:￥0.8125 |
17514 |
2504+
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1工作日
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云汉芯城
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DMP6350S-7
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DIODES(美台)
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SOT-23-3
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100+:￥0.6089 |
10507 |
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6-8工作日
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云汉芯城
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DMP6350S-7
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DIODES INCORPORATED
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SOT-23-3
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50+:￥0.655 5+:￥0.7989 |
90 |
21+
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1-3工作日
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云汉芯城
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DMP6350S-7
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美台(DIODES)
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SOT-23
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30000+:￥0.3758 6000+:￥0.4057 3000+:￥0.427 800+:￥0.5978 200+:￥0.854 10+:￥1.3899 |
0 |
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油柑网
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 60 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 1.5A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 350 毫欧 @ 900mA，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 4.1 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 206 pF @ 30 V |
| 功率耗散（最大值） | 720mW（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |