DMP6180SK3-13
DIODES(美台)
TO-252(DPAK)
¥0.9827
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场效应管(MOSFET)
FET 类型:P 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):60 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):14A(Tc),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
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DMP6180SK3-13
DIODES INCORPORATED
TO252 (DPAK)

1000+:¥0.9827

1+:¥1.0197

2393

2447
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DMP6180SK3-13
美台(DIODES)
TO-252-2(DPAK)

25000+:¥0.99

5000+:¥1.0688

2500+:¥1.125

800+:¥1.575

200+:¥2.25

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Diodes(达尔)
DPAK

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1285

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DIODES(美台)
TO-252(DPAK)

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150+:¥1.3926

50+:¥1.5853

5+:¥2.0348

2365

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DIODES(美台)
TO252

2500+:¥0.9

1+:¥0.954

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 14A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 110 毫欧 @ 12A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2.7V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 17.1 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 984.7 pF @ 30 V
功率耗散(最大值) 1.7W(Ta)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63