DMP610DL-7
DIODES(美台)
SOT-23
¥0.1005
16,299
场效应管(MOSFET)
FET 类型:P 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):60 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):180mA(Ta),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):5V
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DMP610DL-7
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SOT-23

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20+:¥0.1962

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3000+:¥0.11752

1+:¥0.13312

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1500+:¥0.192

230+:¥0.2205

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1+:¥0.2407

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SOT23

3000+:¥0.113

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Diodes(美台)
SOT-23-3

3000+:¥0.11752

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200+:¥0.15288

1+:¥0.23608

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30000+:¥0.088

6000+:¥0.095

3000+:¥0.1

800+:¥0.14

100+:¥0.2

20+:¥0.31

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 180mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 10 欧姆 @ 100mA,5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 0.56 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 24.6 pF @ 25 V
功率耗散(最大值) 310mW(Ta)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3