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DMP6023LFGQ-7
DIODES(美台)
PowerDI3333-8
场效应管(MOSFET)
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：7.7A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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DMP6023LFGQ-7
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DIODES(美台)
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PowerDI3333-8
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2000+:￥1.66 1+:￥1.74 |
1662 |
25+
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圣禾堂
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DMP6023LFGQ-7
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DIODES(美台)
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PowerDI3333-8
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500+:￥1.82 100+:￥2.01 30+:￥2.44 10+:￥2.79 1+:￥3.59 |
652 |
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立即发货
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立创商城
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DMP6023LFGQ-7
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Diodes(达尔)
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PowerDI3333-8
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1000+:￥1.892 100+:￥2.178 20+:￥2.827 |
1662 |
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3天-15天
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唯样商城
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DMP6023LFGQ-7
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Diodes Incorporated
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2000，PDI-33338
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16000+:￥1.5525 8000+:￥1.593 4000+:￥1.62 2000+:￥1.755 |
60000 |
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5-7工作日
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云汉芯城
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DMP6023LFGQ-7
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Diodes Incorporated
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2000，PDI-33338
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16000+:￥1.559 8000+:￥1.5859 4000+:￥1.6128 2000+:￥1.6397 |
2400 |
22+
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3-5工作日
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云汉芯城
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DMP6023LFGQ-7
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Diodes Incorporated
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2000，PDI-33338
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15000+:￥1.624 10000+:￥1.6385 6000+:￥1.6675 2500+:￥1.7255 |
18000 |
25+
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3-5工作日
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云汉芯城
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DMP6023LFGQ-7
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Diodes Incorporated
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2000，PDI-33338
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40000+:￥1.7193 2000+:￥1.7342 1000+:￥1.7641 100+:￥1.8239 |
32706 |
22+
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3-5工作日
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云汉芯城
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DMP6023LFGQ-7
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Diodes Incorporated
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2000，PDI-33338
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10000+:￥1.808 6000+:￥1.84 4000+:￥1.888 2000+:￥2.0 |
8000 |
24+
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5-10工作日
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DMP6023LFGQ-7
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Diodes Incorporated
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2000，PDI-33338
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16000+:￥1.995 8000+:￥2.03 4000+:￥2.065 2000+:￥2.1 |
2000 |
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3-7工作日
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云汉芯城
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DMP6023LFGQ-7
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美台(DIODES)
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SMD
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20000+:￥1.5228 4000+:￥1.6439 2000+:￥1.7304 500+:￥2.4226 200+:￥3.4608 10+:￥5.6325 |
0 |
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油柑网
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 60 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 7.7A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 25 毫欧 @ 5A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 53.1 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 2569 pF @ 30 V |
| 功率耗散（最大值） | 1W（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 155°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 8-PowerVDFN |