DMP6023LFG-13
DIODES(美台)
PowerDI3333-8
¥1.48
14,275
场效应管(MOSFET)
FET 类型:P 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):60 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7.7A(Ta),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
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DMP6023LFG-13
DIODES(美台)
PowerDI3333-8

1000+:¥1.48

500+:¥1.57

100+:¥1.72

30+:¥2.06

10+:¥2.33

1+:¥2.96

2745

-
立即发货
DMP6023LFG-13
DIODES(美台)
PowerDI3333-8

3000+:¥1.55

1+:¥1.63

5765

2年内
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DMP6023LFG-13
Diodes(达尔)
PowerDI3333-8

3000+:¥1.705

1500+:¥1.793

750+:¥1.903

100+:¥2.123

20+:¥2.662

5765

-
3天-15天
DMP6023LFG-13
Diodes Incorporated
3000,PDI-33338

24000+:¥1.2992

12000+:¥1.3216

6000+:¥1.344

3000+:¥1.3664

3600

22+
3-5工作日
DMP6023LFG-13
Diodes Incorporated
3000,PDI-33338

60000+:¥1.3225

3000+:¥1.334

1500+:¥1.357

100+:¥1.403

32533

22+
3-5工作日
DMP6023LFG-13
Diodes Incorporated
3000,PDI-33338

24000+:¥1.6675

12000+:¥1.711

6000+:¥1.74

3000+:¥1.885

30000

-
5-7工作日
DMP6023LFG-13
DIODES(美台)
3000,PDI-33338

3000+:¥1.7205

1500+:¥1.8093

750+:¥1.9203

100+:¥2.1423

1+:¥2.6862

5776

25+
2-4工作日
DMP6023LFG-13
美台(DIODES)
PowerDI3333-8

30000+:¥1.269

6000+:¥1.3699

3000+:¥1.442

800+:¥2.0188

200+:¥2.884

10+:¥4.6937

0

-
DMP6023LFG-13
DIODES(美台)
PowerDI3333-8

100+:¥1.33

30+:¥1.33

10+:¥1.33

1+:¥1.33

0

20+/21+

价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 7.7A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 25 毫欧 @ 5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 53.1 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 2569 pF @ 30 V
功率耗散(最大值) 1W(Ta)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 8-PowerVDFN