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DMP45H4D9HK3-13
DIODES(美台)
TO-252
场效应管(MOSFET)
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：450 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：4.7A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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DMP45H4D9HK3-13
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美台(DIODES)
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TO-252
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25000+:￥3.1075 5000+:￥3.3546 2500+:￥3.5312 800+:￥4.9437 200+:￥7.0624 10+:￥11.4941 |
2500 |
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油柑网
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DMP45H4D9HK3-13
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DIODES(美台)
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TO-252
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30+:￥3.09 10+:￥3.5 1+:￥4.31 |
73 |
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立即发货
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立创商城
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DMP45H4D9HK3-13
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DIODES(美台)
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TO252
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2500+:￥1.81 1+:￥1.9 |
0 |
25+
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立即发货
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圣禾堂
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DMP45H4D9HK3-13
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DIODES(美台)
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TO-252
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100+:￥2.11 30+:￥2.45 10+:￥2.69 1+:￥3.29 |
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22+
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在芯间
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 450 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 4.7A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 4.9 欧姆 @ 1.05A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 13.7 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 564 pF @ 25 V |
| 功率耗散（最大值） | 104W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |