DMP4047SK3-13
DIODES(美台)
TO-252(DPAK)
¥0.9108
65,440
场效应管(MOSFET)
FET 类型:P 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):40 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A(Tc),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
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DMP4047SK3-13
Diodes(达尔)
TO-252-3

2500+:¥0.9108

1250+:¥0.9653

100+:¥1.1088

40+:¥1.4454

14403

-
3天-15天
DMP4047SK3-13
DIODES(美台)
TO252

2500+:¥0.93

1+:¥0.985

14548

22+
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DMP4047SK3-13
美台(DIODES)
TO-252

25000+:¥1.1187

5000+:¥1.2077

2500+:¥1.2713

800+:¥1.7798

200+:¥2.5426

10+:¥4.1381

47500

-
DMP4047SK3-13
DIODES(美台)
TO-252(DPAK)

1000+:¥1.2586

500+:¥1.3108

100+:¥1.4094

30+:¥1.5776

10+:¥2.0536

1+:¥2.808

1582

-
立即发货
DMP4047SK3-13
DIODES(美台)
TO-252

100+:¥1.584

30+:¥1.796

10+:¥2.283

1+:¥3.106

1954

20+/21+
DMP4047SK3-13
DIODES INCORPORATED

1+:¥1.5365

1

-
现货最快4H发

价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 20A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 45 毫欧 @ 4.4A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 23.2 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 1328 pF @ 20 V
功率耗散(最大值) 1.6W(Ta)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63