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DMP4047LFDE-7
DIODES(美台)
U-DFN2020-6E
场效应管(MOSFET)
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：40 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：3.3A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
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厂家型号
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封装
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价格(含税)
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Diodes(美台)
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3000+:￥0.49088 1+:￥0.5252 |
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Diodes(达尔)
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U-DFN2020-6(E 类)
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1500+:￥0.5555 200+:￥0.6116 60+:￥0.8866 |
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3天-15天
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唯样商城
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DIODES(美台)
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3000+:￥0.5613 500+:￥0.653 150+:￥0.7816 50+:￥0.8848 5+:￥1.1254 |
4615 |
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3000+:￥0.487 1+:￥0.521 |
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圣禾堂
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U-DFN2020-E-6
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3000+:￥0.50648 1500+:￥0.54184 200+:￥0.59592 1+:￥0.86424 |
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 40 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 3.3A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 33 毫欧 @ 4.4A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.2V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 23.2 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1382 pF @ 20 V |
| 功率耗散（最大值） | 700mW（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 6-PowerUDFN |