DMP3056L-7
DIODES(美台)
SOT-23
¥0.206712
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场效应管(MOSFET)
FET 类型:P 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):30 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.3A(Ta),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
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DMP3056L-7
DIODES INCORPORATED
SOT-23

100+:¥0.2067

1+:¥0.2814

17584

2211
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DMP3056L-7
DIODES(美台)
SOT-23

9000+:¥0.2203

6000+:¥0.2341

3000+:¥0.2617

300+:¥0.2962

100+:¥0.3421

10+:¥0.4341

22500

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DMP3056L-7
DIODES(美台)
SOT-23

3000+:¥0.2486

1200+:¥0.2786

600+:¥0.2814

100+:¥0.325

10+:¥0.4124

3010

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DMP3056L-7
Diodes(美台)
SOT-23-3

3000+:¥0.2496

1+:¥0.28184

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DMP3056L-7
美台(DIODES)
SOT-23

30000+:¥0.2538

6000+:¥0.274

3000+:¥0.2884

800+:¥0.4038

100+:¥0.5768

20+:¥0.894

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 4.3A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 50 毫欧 @ 6A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2.1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 11.8 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 642 pF @ 25 V
功率耗散(最大值) 1.38W(Ta)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3