DMP2045U-7
DIODES(美台)
SOT-23
¥0.2828
77,285
场效应管(MOSFET)
FET 类型:P 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):20 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.3A(Ta),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V,4.5V
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DMP2045U-7
DIODES(美台)
SOT-23

3000+:¥0.2828

500+:¥0.3188

150+:¥0.3638

50+:¥0.4237

5+:¥0.5436

5090

-
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DMP2045U-7
DIODES(美台)
SOT23

3000+:¥0.29

1+:¥0.328

30976

2年内
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DMP2045U-7
DIODES INCORPORATED
SOT-23

1+:¥0.2911

69613

2241
现货最快4H发
DMP2045U-7
Diodes(美台)
SOT-23

3000+:¥0.3016

1+:¥0.34112

478

2年内
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DMP2045U-7
美台(DIODES)
SOT-23

30000+:¥0.319

6000+:¥0.3444

3000+:¥0.3625

800+:¥0.5075

200+:¥0.725

10+:¥1.18

916

-
DMP2045U-7
DIODES(美台)
SOT-23

1+:¥0.3502

272

-
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DMP2045U-7
Diodes(达尔)
SOT-23-3

200+:¥0.4901

80+:¥0.6424

916

-
3天-15天
DMP2045U-7
DIODES
SOT-23-3

6000+:¥0.297

3000+:¥0.3149

500+:¥0.3505

150+:¥0.3955

50+:¥0.4554

5+:¥0.5795

56663

2501+
1工作日
DMP2045U-7
Diodes(美台)
SOT-23-3

3000+:¥0.3016

1500+:¥0.34112

200+:¥0.39208

1+:¥0.60736

39976

--
1-3工作日
DMP2045U-7
Diodes Incorporated
SOT-23-3

24000+:¥0.3183

12000+:¥0.3238

6000+:¥0.3293

3000+:¥0.3348

30000

25+
3-5工作日
DMP2045U-7
DIODES(美台)
SOT-23-3

3000+:¥0.3219

1500+:¥0.3641

200+:¥0.4185

1+:¥0.6482

40076

24+
2-4工作日
DMP2045U-7
DIODES
SOT-23-3

30000+:¥0.3294

3000+:¥0.3396

60000

25+
3-5工作日
DMP2045U-7
Diodes Incorporated
SOT-23-3

600000+:¥0.336

75000+:¥0.339

15000+:¥0.348

3000+:¥0.36

22956

-
4-7工作日
DMP2045U-7
Diodes Incorporated
SOT-23-3

150000+:¥0.3426

75000+:¥0.3456

15000+:¥0.3486

3000+:¥0.3547

6000

-
5-8工作日
DMP2045U-7
DIODES(美台)
SOT-23-3

877+:¥0.3956

875+:¥0.399

874+:¥0.4059

873+:¥0.43

66137

-
6-8工作日

价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 4.3A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.8V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 45 毫欧 @ 4A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 6.8 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值) ±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 634 pF @ 10 V
功率耗散(最大值) 800mW(Ta)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3