DMP10H4D2S-7
DIODES(美台)
SOT-23
¥0.22048
41,126
场效应管(MOSFET)
FET 类型:P 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):100 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):270mA(Ta),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4V,10V
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DMP10H4D2S-7
Diodes(美台)
SOT-23-3

3000+:¥0.22048

1+:¥0.2496

5651

2年内
1-2工作日发货
DMP10H4D2S-7
DIODES(美台)
SOT-23

6000+:¥0.2221

3000+:¥0.2372

500+:¥0.2755

150+:¥0.3132

50+:¥0.3635

5+:¥0.464

15270

-
立即发货
DMP10H4D2S-7
美台(DIODES)
SOT-23

30000+:¥0.2331

6000+:¥0.2518

3000+:¥0.265

800+:¥0.371

200+:¥0.53

10+:¥0.8626

5656

-
DMP10H4D2S-7
Diodes(达尔)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

3000+:¥0.2756

1500+:¥0.312

200+:¥0.3588

90+:¥0.5564

5656

-
3天-15天
DMP10H4D2S-7
DIODES INCORPORATED
SOT-23-3

500+:¥0.2911

100+:¥0.3008

1+:¥0.3299

8893

2337
现货最快4H发
DMP10H4D2S-7
DIODES(美台)
SOT23

3000+:¥0.212

1+:¥0.24

5806

2年内
立即发货
DMP10H4D2S-7
Diodes(美台)
SOT-23-3

3000+:¥0.22048

1500+:¥0.2496

200+:¥0.28704

1+:¥0.44512

5806

--
1-3工作日
DMP10H4D2S-7
Diodes Incorporated
SOT-23-3

60000+:¥0.2248

3000+:¥0.2268

1500+:¥0.2307

100+:¥0.2385

96999

24+
3-5工作日
DMP10H4D2S-7
Diodes Incorporated
SOT-23-3

24000+:¥0.2415

12000+:¥0.2478

6000+:¥0.252

3000+:¥0.273

30000

-
5-7工作日
DMP10H4D2S-7
DIODES
SOT-23-3

500+:¥0.2717

150+:¥0.3091

50+:¥0.359

5+:¥0.4598

2111

2336+
1工作日
DMP10H4D2S-7
Diodes Incorporated
SOT-23-3

24000+:¥0.285

12000+:¥0.29

6000+:¥0.295

3000+:¥0.3

150000

-
3-7工作日
DMP10H4D2S-7
DIODES(美台)
SOT-23-3

500+:¥0.399

8462

-
6-8工作日
DMP10H4D2S-7
Diodes Incorporated
SOT-23-3

18000+:¥0.4594

9000+:¥0.4821

3000+:¥0.5137

51000

23+
5-10工作日
DMP10H4D2S-7
DIODES(美台)
SOT-23

2000+:¥0.4237

1000+:¥0.435

500+:¥0.454

100+:¥0.4918

30+:¥0.5107

1+:¥0.5296

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 270mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 4.2 欧姆 @ 500mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 1.8 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 87 pF @ 25 V
功率耗散(最大值) 380mW(Ta)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3