DMN67D7L-7
DIODES(美台)
SOT-23
¥0.156
2,066
场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):60 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):210mA(Ta),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):5V,10V
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DMN67D7L-7
Diodes(美台)
SOT-23-3

3000+:¥0.156

1+:¥0.1768

184

24+
1-2工作日发货
DMN67D7L-7
美台(DIODES)
SOT-23-3

30000+:¥0.165

6000+:¥0.1781

3000+:¥0.1875

800+:¥0.2625

100+:¥0.375

20+:¥0.6104

191

-
DMN67D7L-7
DIODES(美台)
SOT-23

300+:¥0.2515

100+:¥0.2914

10+:¥0.371

1500

-
立即发货
DMN67D7L-7
Diodes(达尔)
SOT-23-3

130+:¥0.3926

191

-
3天-15天
DMN67D7L-7
DIODES(美台)
SOT23

3000+:¥0.15

1+:¥0.17

5221

24+
立即发货
DMN67D7L-7
Diodes(美台)
SOT-23-3

3000+:¥0.156

1500+:¥0.1768

200+:¥0.2028

1+:¥0.31408

5191

--
1-3工作日

价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 210mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 5 欧姆 @ 500mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 0.821 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±40V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 22 pF @ 25 V
功率耗散(最大值) 570mW(Ta)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3