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DMN65D8L-7
DIODES(美台)
SOT-23
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：310mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：5V，10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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DMN65D8L-7
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DIODES(美台)
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SOT23
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3000+:￥0.086 1+:￥0.108 |
191 |
23+
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立即发货
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圣禾堂
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DMN65D8L-7
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Diodes(美台)
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SOT-23-3
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3000+:￥0.08944 1+:￥0.11232 |
183 |
23+
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1-2工作日发货
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硬之城
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DMN65D8L-7
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美台(DIODES)
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SOT-23
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30000+:￥0.0946 6000+:￥0.1021 3000+:￥0.1075 800+:￥0.1505 100+:￥0.215 20+:￥0.3499 |
191 |
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油柑网
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DMN65D8L-7
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DIODES INCORPORATED
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SOT-23-3
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100+:￥0.098 1+:￥0.1274 |
2623 |
2452
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现货最快4H发
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京北通宇
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DMN65D8L-7
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DIODES(美台)
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SOT-23
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9000+:￥0.1122 3000+:￥0.1253 600+:￥0.1404 200+:￥0.1656 20+:￥0.2109 |
18180 |
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立创商城
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DMN65D8L-7
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Diodes(达尔)
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SOT-23
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90+:￥0.572 |
191 |
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3天-15天
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唯样商城
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DMN65D8L-7
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DIODES(美台)
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SOT-23
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6000+:￥0.0753 3000+:￥0.0804 1000+:￥0.0841 500+:￥0.0914 200+:￥0.0987 20+:￥0.106 |
27 |
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立即发货
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华秋商城
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DMN65D8L-7
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Diodes(美台)
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SOT-23-3
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3000+:￥0.08944 1500+:￥0.11232 200+:￥0.17992 1+:￥0.5408 |
1033 |
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1-3工作日
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硬之城
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 60 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 310mA（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 3 欧姆 @ 115mA，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 0.87 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 22 pF @ 25 V |
| 功率耗散（最大值） | 370mW（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |