DMN6140L-13
DIODES(美台)
SOT-23
¥0.27
13,733
场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):60 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.6A(Ta),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
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DMN6140L-13
DIODES(美台)
SOT23

10000+:¥0.27

1+:¥0.294

1464

24+
立即发货
DMN6140L-13
Diodes(美台)
SOT-23

10000+:¥0.2808

1+:¥0.30576

1456

24+
1-2工作日发货
DMN6140L-13
Diodes(美台)
SOT-23-3

10000+:¥0.2808

1+:¥0.30576

1499

2年内
1-2工作日发货
DMN6140L-13
DIODES(美台)
SOT-23

5000+:¥0.2896

2500+:¥0.3093

500+:¥0.3486

150+:¥0.3977

50+:¥0.4633

5+:¥0.5943

6950

-
立即发货
DMN6140L-13
美台(DIODES)
SOT-23

100000+:¥0.297

20000+:¥0.3206

10000+:¥0.3375

1000+:¥0.4725

100+:¥0.675

20+:¥1.0986

1464

-
DMN6140L-13
DIODES(美台)
SOT-23

2000+:¥0.3238

50+:¥0.4717

5+:¥0.5974

935

-
立即发货
DMN6140L-13
DIODES INCORPORATED
SOT-23

500+:¥0.343

1+:¥0.3724

1084

2419
现货最快4H发
DMN6140L-13
Diodes(达尔)
SOT-23-3

500+:¥0.442

110+:¥0.4862

1464

-
3天-15天
DMN6140L-13
Diodes(美台)
SOT-23-3

10000+:¥0.2808

5000+:¥0.30576

2500+:¥0.3276

500+:¥0.3536

100+:¥0.38896

1+:¥0.56368

32456

--
1-3工作日
DMN6140L-13
DIODES(美台)
SOT-23-3

540000+:¥0.2953

60000+:¥0.2986

10000+:¥0.2997

5000+:¥0.3263

2500+:¥0.3497

500+:¥0.3774

100+:¥0.4151

1+:¥0.6016

32656

25+
2-4工作日
DMN6140L-13
Diodes Incorporated
SOT-23-3

500000+:¥0.3212

250000+:¥0.324

50000+:¥0.3268

10000+:¥0.3325

80000

-
5-8工作日
DMN6140L-13
DIODES(美台)
SOT-23(SOT-23-3)

100+:¥0.266

30+:¥0.266

10+:¥0.266

5+:¥0.266

0

20+/21+

价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 1.6A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 140 毫欧 @ 1.8A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 8.6 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 315 pF @ 40 V
功率耗散(最大值) 700mW(Ta)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3