DMN4035L-7
DIODES(美台)
SOT-23
¥0.48
3,969
场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):40 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.6A(Ta),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
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DMN4035L-7
DIODES(美台)
SOT23

3000+:¥0.48

1+:¥0.514

930

24+
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DMN4035L-7
Diodes(美台)
SOT-23-3

3000+:¥0.4992

1+:¥0.53456

929

24+
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DMN4035L-7
美台(DIODES)
SOT-23-3

30000+:¥0.528

6000+:¥0.57

3000+:¥0.6

800+:¥0.84

100+:¥1.2

20+:¥1.953

930

-
DMN4035L-7
Diodes(达尔)
SOT-23-3

200+:¥0.6215

60+:¥0.9009

930

-
3天-15天
DMN4035L-7
DIODES(美台)
SOT-23

150+:¥0.7655

50+:¥0.869

5+:¥1.1106

250

-
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DMN4035L-7
Diodes(美台)
SOT-23

3000+:¥0.4992

1500+:¥0.53456

200+:¥0.5876

1+:¥0.85176

1002

--
1-3工作日

价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 4.6A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 42 毫欧 @ 4.3A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 12.5 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 574 pF @ 20 V
功率耗散(最大值) 720mW
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3