DMN3404L-7
DIODES(美台)
SOT-23
¥0.18304
432,299
场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):30 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.8A(Ta),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):3V,10V
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DMN3404L-7
DIODES(美台)
SOT23

3000+:¥0.18

1+:¥0.203

70765

2年内
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DMN3404L-7
Diodes(美台)
SOT-23

3000+:¥0.18304

1+:¥0.20696

69059

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DIODES(美台)
SOT-23

9000+:¥0.1863

6000+:¥0.1985

3000+:¥0.2229

300+:¥0.2533

100+:¥0.294

10+:¥0.3752

45330

-
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DMN3404L-7
Diodes
SOT-23-3

3000+:¥0.1908

2000+:¥0.2003

1000+:¥0.2103

500+:¥0.2208

300+:¥0.2429

100+:¥0.2672

15000

22+
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DMN3404L-7
DIODES(美台)
SOT-23(SOT-23-3)

500+:¥0.198

100+:¥0.222

20+:¥0.253

5+:¥0.317

137610

23+/24+

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规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 5.8A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 3V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 28 毫欧 @ 5.8A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 9.2 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 386 pF @ 15 V
功率耗散(最大值) 720mW(Ta)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3