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DMN30H4D0L-7
DIODES(美台)
SOT-23
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：300 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：250mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.7V，10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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DMN30H4D0L-7
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DIODES(美台)
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SOT23
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3000+:￥0.76 1+:￥0.819 |
10590 |
2年内
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立即发货
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圣禾堂
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DMN30H4D0L-7
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美台(DIODES)
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SOT-23
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30000+:￥0.836 6000+:￥0.9025 3000+:￥0.95 800+:￥1.33 100+:￥1.9 20+:￥3.0923 |
10590 |
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油柑网
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DMN30H4D0L-7
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Diodes(达尔)
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SOT-23-3
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3000+:￥0.836 1500+:￥0.9009 750+:￥0.9922 100+:￥1.188 40+:￥1.54 |
10590 |
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3天-15天
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唯样商城
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DMN30H4D0L-7
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DIODES(美台)
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SOT-23
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3000+:￥0.8845 500+:￥0.978 150+:￥1.188 50+:￥1.3564 5+:￥1.7491 |
3605 |
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立创商城
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DMN30H4D0L-7
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DIODES(美台)
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SOT-23
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600+:￥0.9291 50+:￥1.2886 5+:￥1.6617 |
200 |
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华秋商城
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DMN30H4D0L-7
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DIODES(美台)
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SOT-23
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100+:￥1.161 30+:￥1.393 10+:￥1.578 1+:￥2.011 |
1590 |
20+/21+
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在芯间
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DMN30H4D0L-7
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Diodes(美台)
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SOT-23-3
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3000+:￥0.7904 1500+:￥0.85176 750+:￥0.93808 100+:￥1.1232 1+:￥1.456 |
10590 |
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1-3工作日
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硬之城
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 300 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 250mA（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 2.7V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 4 欧姆 @ 300mA，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 7.6 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 187.3 pF @ 25 V |
| 功率耗散（最大值） | 310mW（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |