DMN3067LW-7
DIODES(美台)
SOT-323
¥0.227
40,265
场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):30 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.6A(Ta),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V,4.5V
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DMN3067LW-7
DIODES(美台)
SOT-323

6000+:¥0.227

3000+:¥0.2425

500+:¥0.2737

150+:¥0.3126

50+:¥0.3644

5+:¥0.4682

38765

-
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DMN3067LW-7
DIODES(美台)
SOT-323

1200+:¥0.2574

600+:¥0.26

100+:¥0.3462

10+:¥0.4448

1000

-
立即发货
DMN3067LW-7
DIODES(美台)
SOT23

500+:¥0.65

150+:¥0.75

50+:¥0.82

10+:¥0.92

500

21+
DMN3067LW-7
DIODES
SOT-323

28000+:¥0.2202

2800+:¥0.227

5500

21+
3-5工作日
DMN3067LW-7
Diodes Incorporated
SOT-323

1500+:¥1.0766

750+:¥1.1095

50+:¥1.1446

2000

-
10-15工作日
DMN3067LW-7
DIODES(美台)
SOT323

3000+:¥0.228

1+:¥0.258

0

-
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DMN3067LW-7
美台(DIODES)
SOT-323

30000+:¥0.2508

6000+:¥0.2708

3000+:¥0.285

800+:¥0.399

200+:¥0.57

10+:¥0.8835

0

-
DMN3067LW-7
Diodes(达尔)
SOT-323

3000+:¥0.3435

1500+:¥0.4396

1000+:¥0.5276

100+:¥0.7122

1+:¥1.1039

0

-
DMN3067LW-7
DIODES INCORPORATED
SOT-323

1000+:¥0.6733

100+:¥0.7399

1+:¥0.9624

0

-
现货最快4H发

价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 2.6A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 2.5V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 67 毫欧 @ 2.5A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 4.6 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值) ±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 447 pF @ 10 V
功率耗散(最大值) 500mW(Ta)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 SC-70,SOT-323