DMN3065LW-7
DIODES(美台)
SOT-323
¥0.295
61,478
场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):30 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4A(Ta),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V,10V
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DMN3065LW-7
DIODES(美台)
SOT323

3000+:¥0.295

1+:¥0.333

14014

2年内
立即发货
DMN3065LW-7
Diodes(美台)
SOT323

3000+:¥0.3068

1+:¥0.34632

14007

2年内
1-2工作日发货
DMN3065LW-7
美台(DIODES)
SOT-323-3

30000+:¥0.3245

6000+:¥0.3504

3000+:¥0.3688

800+:¥0.5163

200+:¥0.7376

10+:¥1.2005

14014

-
DMN3065LW-7
Diodes(达尔)
SOT-323

3000+:¥0.3835

1500+:¥0.4329

200+:¥0.4979

80+:¥0.6534

14014

-
3天-15天
DMN3065LW-7
DIODES(美台)
SOT-323

3000+:¥0.3849

1200+:¥0.3889

600+:¥0.3928

50+:¥0.4834

5+:¥0.6049

2844

-
立即发货
DMN3065LW-7
DIODES(美台)
SOT-323

500+:¥0.3968

150+:¥0.4448

50+:¥0.5088

5+:¥0.6367

2585

-
立即发货
DMN3065LW-7
Diodes(美台)
SOT323

3000+:¥0.3068

1500+:¥0.34632

200+:¥0.39832

1+:¥0.61776

8205

--
1-3工作日
DMN3065LW-7
Diodes Incorporated
SOT-323

24000+:¥0.3082

12000+:¥0.3162

6000+:¥0.3216

3000+:¥0.3484

9000

-
5-7工作日
DMN3065LW-7
Diodes Incorporated
SOT-323

1500+:¥1.4284

750+:¥1.4725

5050

-
10-15工作日
DMN3065LW-7
DIODES(美台)
SOT-323(SC-70)

100+:¥0.295

30+:¥0.295

10+:¥0.295

5+:¥0.308

0

20+/21+
DMN3065LW-7
DIODES INCORPORATED
SOT-323

1+:¥0.8232

0

-
现货最快4H发
DMN3065LW-7
DIODES INCORPORATED
SOT-323

1+:¥0.8232

0

-
现货最快4H发

价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 4A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 2.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 52 毫欧 @ 4A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 11.7 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 465 pF @ 15 V
功率耗散(最大值) 770mW(Ta)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 SC-70,SOT-323