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DMN3042L-7
DIODES(美台)
SOT-23
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：5.8A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，10V
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封装
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价格(含税)
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DMN3042L-7
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DIODES(美台)
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3000+:￥0.299 1+:￥0.339 |
1259 |
22+
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圣禾堂
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3000+:￥0.3 1500+:￥0.33 500+:￥0.35 100+:￥0.38 10+:￥0.55 1+:￥0.6 |
713 |
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3000+:￥0.309 500+:￥0.3941 150+:￥0.4346 50+:￥0.4886 5+:￥0.5966 |
4200 |
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Diodes(美台)
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3000+:￥0.31096 1+:￥0.35256 |
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硬之城
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DIODES INCORPORATED
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100+:￥0.392 1+:￥0.4312 |
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2306
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现货最快4H发
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京北通宇
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
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| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 5.8A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 2.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 26.5 毫欧 @ 5.8A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 20 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±12V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 860 pF @ 15 V |
| 功率耗散（最大值） | 720mW（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |