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DMN3032LE-13
DIODES(美台)
SOT-223
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：5.6A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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DMN3032LE-13
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DIODES(美台)
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SOT223
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2500+:￥0.41 1+:￥0.446 |
37051 |
24+
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立即发货
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圣禾堂
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DMN3032LE-13
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Diodes(美台)
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SOT-223
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2500+:￥0.4264 1+:￥0.46384 |
37044 |
24+
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1-2工作日发货
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硬之城
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DMN3032LE-13
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DIODES(美台)
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SOT-223
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5000+:￥0.43 2500+:￥0.4569 500+:￥0.5472 150+:￥0.6144 50+:￥0.7039 5+:￥0.883 |
6165 |
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立即发货
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立创商城
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DMN3032LE-13
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Diodes(达尔)
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SOT-223-3
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2500+:￥0.533 1250+:￥0.5798 100+:￥0.6396 70+:￥0.8118 |
37051 |
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3天-15天
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唯样商城
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DMN3032LE-13
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DIODES(美台)
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SOT-223
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100+:￥0.595 30+:￥0.664 10+:￥0.757 5+:￥0.942 |
9680 |
20+/21+
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在芯间
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DMN3032LE-13
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DIODES(美台)
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SOT-223
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500+:￥0.5222 100+:￥0.5502 10+:￥0.6061 1+:￥0.6294 |
67 |
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立即发货
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华秋商城
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DMN3032LE-13
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DIODES INCORPORATED
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SOT-223
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1+:￥1.0984 |
82 |
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现货最快4H发
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京北通宇
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DMN3032LE-13
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Diodes(美台)
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SOT-223-4
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2500+:￥0.4264 1250+:￥0.46384 100+:￥0.51168 1+:￥0.76752 |
37206 |
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1-3工作日
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硬之城
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DMN3032LE-13
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美台(DIODES)
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SOT-223
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25000+:￥0.4188 5000+:￥0.4521 2500+:￥0.4759 800+:￥0.6663 200+:￥0.9518 10+:￥1.5491 |
0 |
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油柑网
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 5.6A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 29 毫欧 @ 3.2A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 11.3 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 498 pF @ 15 V |
| 功率耗散（最大值） | 1.8W（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |