DMN26D0UT-7
DIODES(美台)
SOT-523
¥0.095
823,563
场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):20 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):230mA(Ta),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.2V,4.5V
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DMN26D0UT-7
DIODES(美台)
SOT523

3000+:¥0.095

1+:¥0.12

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DMN26D0UT-7
Diodes(美台)
SOT-523-3

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1+:¥0.1248

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DMN26D0UT-7
美台(DIODES)
SC-89(SOT-523)

30000+:¥0.1032

6000+:¥0.1114

3000+:¥0.1173

800+:¥0.1642

100+:¥0.2346

20+:¥0.3818

111000

-
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Diodes(达尔)
SOT-523

3000+:¥0.1425

1500+:¥0.18

200+:¥0.2865

80+:¥0.6314

234542

-
3天-15天
DMN26D0UT-7
DIODES(美台)
SOT-523-3

3000+:¥0.1498

1200+:¥0.1514

300+:¥0.1691

20+:¥0.2176

4778

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DMN26D0UT-7
DIODES(美台)
SOT-523

600+:¥0.1529

200+:¥0.1818

20+:¥0.234

2140

-
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DMN26D0UT-7
DIODES INCORPORATED
SOT-523-3

1+:¥0.249

2021

2231
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DMN26D0UT-7
Diodes(美台)
SOT-523-3

3000+:¥0.0988

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200+:¥0.19864

1+:¥0.59696

26505

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1-3工作日
DMN26D0UT-7
Diodes Incorporated
SOT-523

60000+:¥0.1035

30000+:¥0.1044

15000+:¥0.1062

3000+:¥0.1116

60000

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3-5工作日
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DIODES(美台)
SOT-523

3000+:¥0.1055

1500+:¥0.1332

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1+:¥0.6371

248606

23+
2-4工作日
DMN26D0UT-7
Diodes Incorporated
SOT-523

60000+:¥0.1058

3000+:¥0.1067

1500+:¥0.1086

100+:¥0.1122

99999

23+
3-5工作日
DMN26D0UT-7
Diodes Incorporated
SOT-523

30000+:¥0.1116

15000+:¥0.1145

9000+:¥0.1183

3000+:¥0.1213

111000

-
3-5工作日
DMN26D0UT-7
DIODES(美台)
SOT-523

3000+:¥0.1274

236175

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6-8工作日
DMN26D0UT-7
DIODES INCORPORATED
SOT-523

600+:¥0.1354

200+:¥0.1612

20+:¥0.2086

3557

23+
1工作日
DMN26D0UT-7
DIODES
SOT-523

600+:¥0.142

200+:¥0.1703

20+:¥0.2199

10763

2330+
1工作日

价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 230mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.2V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 3 欧姆 @ 100mA,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA
Vgs(最大值) ±10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 14.1 pF @ 15 V
功率耗散(最大值) 300mW(Ta)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 SOT-523